正答4
解説
正解は4です。
半導体メモリの記憶素子の違いを問う問題です。
フリップフロップ回路は、2つの安定状態のどちらかを保つ回路で、電源がある限りリフレッシュなしで1ビットを保持できます。
【選択肢別解説】
1：× DRAM（Dynamic Random Access Memory）は、コンデンサに電荷を蓄えて記憶します。
電荷が漏れるので、定期的なリフレッシュが必要です。
2：× EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read Only Memory）は、電気的に内容を消去して書き換えられる不揮発性メモリです。
フリップフロップ回路は使いません。
3：× SDRAM（Synchronous DRAM）は、クロックに同期して動作するDRAMです。
記憶素子はDRAMと同じくコンデンサです。
4：○ SRAM（Static Random Access Memory）は、メモリセルにフリップフロップ回路を使います。
リフレッシュが不要で高速なので、キャッシュメモリに使われます。
【ポイント】
SRAMは高速ですが回路が複雑で、ビット当たりの価格が高くなります。
DRAMは構造が簡単で大容量にしやすいので、主記憶に使われます。