修了試験 2017-12-10実施分 基本情報技術者試験 問22

解説

正解は4です。 半導体メモリのうち、記憶素子（メモリセル）にフリップフロップ回路を使うのはSRAM（Static Random Access Memory）です。 フリップフロップは、電源が供給されている間は0か1の状態を保ち続ける回路です。 そのため、SRAMは記憶を保つためのリフレッシュが不要で高速ですが、1ビット当たりの素子数が多く集積度は低くなります。 【選択肢別解説】 1：× DRAM（Dynamic RAM）は、コンデンサに電荷を蓄えて記憶します。 電荷が漏れるため、定期的なリフレッシュが必要です。 2：× EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）は、電気的に書換えができる不揮発性メモリです。 フローティングゲートに電荷を閉じ込めて記憶します。 3：× SDRAM（Synchronous DRAM）は、クロックに同期して動作するDRAMです。 記憶の仕組みはDRAMと同じコンデンサ方式です。 4：○ SRAMはフリップフロップ回路でデータを保持します。 高速なのでキャッシュメモリに使われます。 【ポイント】 DRAMは「コンデンサ、リフレッシュ必要、大容量で主記憶向き」、SRAMは「フリップフロップ、リフレッシュ不要、高速でキャッシュ向き」と対で覚えます。