修了試験 2019-06-09実施分 基本情報技術者試験 問23

解説

正解は4です。 半導体メモリのうち、フラッシュメモリの特徴を問う問題です。 フラッシュメモリは、電源を切っても内容が消えない不揮発性メモリで、電気的に書換えができます。 USBメモリやSSD（Solid State Drive）に使われています。 【選択肢別解説】 1：× 高速に書換えができ、CPUのキャッシュメモリに使われるのはSRAM（Static RAM）です。 フラッシュメモリは書換えに時間がかかるため、キャッシュメモリには向きません。 2：× 紫外線を当てて全データを一括消去するのは、UV-EPROM（紫外線消去型のEPROM）です。 フラッシュメモリは紫外線ではなく電気で消去します。 3：× 周期的にデータの再書込み（リフレッシュ）が必要なのは、DRAM（Dynamic RAM）です。 フラッシュメモリは不揮発性なので、リフレッシュは不要です。 4：○ フラッシュメモリは、ブロック単位でまとめて電気的にデータを消去できます。 この一括消去の性質が、名前の由来にもなっています。 【ポイント】 SRAMは高速でキャッシュ向き、DRAMはリフレッシュが必要で主記憶向き、フラッシュメモリは不揮発で電気的にブロック消去できる、と対比して覚えます。 EEPROMはバイト単位で電気的に消去できる点が、フラッシュメモリとの違いです。