修了試験 2023-01-22実施分 基本情報技術者試験 問21

解説

正解は4です。 フラッシュメモリは、電源を切っても内容が消えない不揮発性の半導体メモリです。 USBメモリやSSD、SDカードなどに広く使われています。 【選択肢別解説】 1：× 高速に読み書きでき、CPUのキャッシュメモリに使われるのはSRAM（Static RAM）です。 フラッシュメモリは書換えが遅く、書換え回数にも上限があります。 2：× 紫外線を当てて全データを一括消去するのは、UV-EPROM（紫外線消去型のEPROM）です。 フラッシュメモリは電気的に消去します。 3：× 周期的な再書込み（リフレッシュ）が必要なのは、コンデンサに電荷を蓄えて記憶するDRAM（Dynamic RAM）です。 4：○ フラッシュメモリは、ブロック単位で電気的にデータを消去して書き換えることができます。 これが名前の由来でもある特徴です。 【ポイント】 SRAMはキャッシュ、DRAMは主記憶でリフレッシュが必要、EPROMは紫外線消去、フラッシュメモリはブロック単位の電気的消去と整理しましょう。