修了試験 2015-01-25実施分 基本情報技術者試験 問21

解説

正解は3です。 半導体メモリは、電源を切ると内容が消える揮発性のRAMと、内容が消えない不揮発性のROMに大別されます。 本問は、電気的に書換えと消去ができ、さらに不揮発性であるメモリを選びます。 【選択肢別解説】 1：× DRAM（Dynamic RAM）は、コンデンサに電荷を蓄えて記憶する揮発性メモリです。 定期的なリフレッシュが必要で、電源を切ると内容は消えます。 2：× SRAM（Static RAM）は、フリップフロップ回路で記憶する揮発性メモリです。 高速でキャッシュメモリに使われますが、電源を切ると内容は消えます。 3：○ フラッシュメモリは、電気的にデータを書き換えたり、ブロック単位で一括消去したりできる不揮発性メモリです。 USBメモリやSSDに使われています。 4：× マスクROMは、製造時にデータを書き込む読出し専用メモリです。 不揮発性ですが、後から書換えや消去はできません。 【ポイント】 フラッシュメモリはEEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）の一種です。 DRAMは主記憶、SRAMはキャッシュ、フラッシュメモリは補助記憶と、用途もあわせて覚えます。