修了試験 2015-07-26実施分 基本情報技術者試験 問21

解説

正解は4です。 半導体メモリの一つ、フラッシュメモリの特徴を問う問題です。 フラッシュメモリは、電源を切っても内容が消えない不揮発性のメモリで、電気的に消去と書換えができます。 【選択肢別解説】 1：× 高速に書き換えられ、キャッシュメモリに使われるのはSRAM（Static RAM）です。 フラッシュメモリは書込みや消去に時間がかかり、キャッシュには向きません。 2：× 紫外線を当てて全内容を消去するのは、UV-EPROM（紫外線消去型のEPROM）です。 フラッシュメモリは電気的に消去します。 3：× 周期的な再書込み（リフレッシュ）が必要なのは、DRAM（Dynamic RAM）です。 DRAMはコンデンサの電荷で記憶するため、放っておくと内容が失われます。 4：○ フラッシュメモリは、ブロック単位でまとめて電気的に内容を消去できます。 この特徴から、USBメモリやSSD、SDカードなどに使われています。 【ポイント】 SRAMはキャッシュ、DRAMは主記憶でリフレッシュが必要、フラッシュメモリは不揮発でブロック単位消去と整理します。 EPROMは紫外線、EEPROMとフラッシュメモリは電気で消去します。