修了試験 2017-01-22実施分 基本情報技術者試験 問22

解説

正解は4です。 フラッシュメモリは、電源を切っても内容が消えない不揮発性の半導体メモリです。 基板に載せたまま電気的に消去と書込みができます。 ただし、上書きはできず、ブロック単位で消去してから書き込む必要があります。 【選択肢別解説】 1：× 書換えを繰り返すと記憶素子が劣化するため、書換え回数には上限があります。 無制限ではありません。 2：× 基板から外して専用のROMライタで書き込むのは、紫外線で消去するEPROMなどの特徴です。 フラッシュメモリは基板上で書き換えられます。 3：× 定期的なリフレッシュが必要なのはDRAM（Dynamic Random Access Memory）です。 フラッシュメモリは不揮発性でリフレッシュは不要です。 4：○ フラッシュメモリは、書換え時に前のデータをブロック単位で消去してから書き込みます。 【ポイント】 フラッシュメモリはEEPROMの一種で、SSDやUSBメモリ、SDカードに使われています。 書換え回数の上限への対策として、書込みを全体に分散させるウェアレベリングという技術があります。