修了試験 2020-12-13実施分 基本情報技術者試験 問20

解説

正解は4です。 DRAM（Dynamic Random Access Memory）は、コンデンサに電荷をためて1ビットを記憶する半導体メモリです。 1ビットをトランジスタ1個とコンデンサ1個で構成でき、構造が単純です。 電荷は時間とともに失われるので、定期的なリフレッシュ（再書込み）が必要で、電源を切ると内容が消える揮発性メモリです。 【選択肢別解説】 1：× 書込みや消去を一括またはブロック単位で行うのは、フラッシュメモリの特徴です。 DRAMは1語単位で自由に読み書きできます。 2：× リフレッシュ操作が不要なのは、フリップフロップ回路で記憶するSRAM（Static RAM）の特徴です。 DRAMは電荷が漏れるのでリフレッシュが必要です。 3：× 電源を切っても内容を保持できるのは、フラッシュメモリやROMなどの不揮発性メモリです。 DRAMは揮発性なので、電源を切ると内容が消えます。 4：○ DRAMはメモリセルの構造が単純なので高集積化しやすく、ビット単価を安くできます。 そのため大容量が必要な主記憶装置に使われます。 【ポイント】 DRAMは「安価・大容量・リフレッシュ必要」で主記憶向き、SRAMは「高速・高価・リフレッシュ不要」でキャッシュメモリ向きです。 フラッシュメモリは不揮発性で、ブロック単位で消去する点が特徴です。